《中國(guó)材料進(jìn)展網(wǎng)》
我國(guó)科學(xué)家首次在一維原子鏈缺陷兩端發(fā)現(xiàn)零能束縛態(tài)
發(fā)布時(shí)間：2020年3月27日
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探索可容錯(cuò)的量子比特計(jì)算是最終實(shí)現(xiàn)規(guī)�；孔佑�(jì)算的重要途徑。馬約拉納零能模，因其受拓?fù)浜?jiǎn)并保護(hù)，滿足非阿貝爾統(tǒng)計(jì)，具備抗局域干擾和高容錯(cuò)的特性，被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)拓?fù)淞孔颖忍氐幕A(chǔ)。然而探測(cè)馬約拉納零能模構(gòu)造這類異質(zhì)結(jié)構(gòu)需要復(fù)雜的制造工藝，進(jìn)行觀測(cè)需要極低溫和外加磁場(chǎng)，這些條件給馬約拉納零能�？赡艿膽�(yīng)用帶來了極大的困難和挑戰(zhàn)。
在量子調(diào)控與量子信息重點(diǎn)專項(xiàng)的支持下, 北京大學(xué)物理學(xué)院量子材料科學(xué)中心王健教授團(tuán)隊(duì)與合作者通過分子束外延技術(shù)在鈦酸鍶襯底上成功制備出大尺度、高質(zhì)量的單層FeTe0.5Se0.5高溫超導(dǎo)薄膜，在薄膜表面發(fā)現(xiàn)了一種由最上層Te/Se原子缺失形成的一維原子鏈缺陷，進(jìn)而在這種一維原子鏈缺陷兩端同時(shí)觀測(cè)到了零能束縛態(tài)，該零能束縛態(tài)的譜學(xué)特性與馬約拉納零能模的解釋相符合。這一工作首次揭示了二維高溫超導(dǎo)體FeTe0.5Se0.5單層薄膜中的一類拓?fù)渚�缺陷端點(diǎn)處的零能激發(fā)，具備單一材料、較高工作溫度和零外加磁場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝艘环N可能的方案。
http://www.most.gov.cn/gnwkjdt/202003/t20200326_152606.htm