[1]邢志剛,賈海強,王文新,等.GaN基發光二極管研究進展[J].中國材料進展,2009,(7/8):016-19.
XING Zhigang,JIA Haiqiang,WANG Wenxin,et al.Progress in Research of GaNBased LightEmitting Diodes[J].MATERIALS CHINA,2009,(7/8):016-19.
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GaN基發光二極管研究進展
中國材料進展[ISSN:1674-3962/CN:61-1473/TG]
- 卷:
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- 期數:
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2009年第7/8期
- 頁碼:
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016-19
- 欄目:
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特約研究論文
- 出版日期:
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2009-09-18
文章信息/Info
- Title:
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Progress in Research of GaNBased LightEmitting Diodes
- 作者:
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邢志剛; 賈海強; 王文新; 陳 弘
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(中國科學院物理研究所清潔能源實驗室，北京 100190)
- Author(s):
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XING Zhigang; JIA Haiqiang; WANG Wenxin; CHEN Hong
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（Clean Energy Laboratory,Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China)
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- 關鍵詞:
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發光二極管; 氮化鎵; 晶體生長
- 文獻標志碼:
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A
- 摘要:
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GaN基發光二極管(LED)作為目前固態照明和顯示等應用中最核心的器件，在完全發揮材料性能的道路上還存在著一些困難。針對藍光LED內量子效率低和白光LED應用中缺乏簡易制備方法的現狀，本研究組做出了有意義的富有創新性的工作：提出的寬窄耦合量子阱結構的LED使得藍光LED的內量子效率得到了很大的提高；通過生長一個用于調節量子阱中的應變和局域化的InGaN插入層，制備出了同一發光層出射白光的單芯片白光LED。
更新日期/Last Update:
2009-10-23