文章信息/Info

Title:

Growth of 450 mm CZ Si Single Crystal of IC Grade

作者:

戴小林; 常青

北京有色金屬研究總院半導體材料股份有限公司，北京 100088

Author(s):

DAI Xiaolin;  CHANG Qing

Semiconductor Materials Co��, Ltd��, GRINM，Beijing 100088，China

關鍵詞:

硅單晶; 450 mm直徑硅片; 制備

文獻標志碼:

A

摘要:

    450 mm直徑的硅片面積比目前主流300 mm硅片面積大2��25倍，是下一代半導體芯片的襯底。國外許多半導體設備和材料公司已聯手開展這方面的研究工作。從技術和市場角度討論分析了以下問題：①投料量和單晶收率的關系；②籽晶的承重；③設備安全性，防止一氯化硅粉塵的爆燃；④晶體質量的控制，從熱場的選擇和設計、缺陷控制、單晶體金屬控制等方面做了分析；⑤對當前國內外相關原材料的市場情況進行了討論。文章指出，現在國內直徑450 mm硅晶體生長的研發條件已經成熟。